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IR新款雙功率MOSFET減少5%以上的功率損耗
IR推出IRFHE4250D FastIRFET雙功率MOSFET，藉以擴(kuò)充電源模塊組件系列。新款25V器件在25A的電流下能夠比其它頂級的傳統(tǒng)電源模塊產(chǎn)品減少5%以上的功率損耗，適用于12V輸入DC-DC同步降壓應(yīng)用，包括先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等。
IRFHE4250D配備IR新一代硅技術(shù)，并采用了適合背面貼裝的6×6 PQFN頂部外露纖薄封裝，為電源模塊帶來更多封裝選擇。這款封裝結(jié)合了出色的散熱性能、低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 與柵極電荷 (Qg)，提供卓越的功率密度和較低的開關(guān)損耗，從而縮減電路板尺寸，提升整體系統(tǒng)效率。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“高達(dá)60A額定值的IRFHE4250D FastIRFET MOSFET是全球首款頂部外露電源模塊器件，提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度，有效滿足要求頂尖效率的高性能DC-DC應(yīng)用。”
與IR的其它電源模塊器件一樣，IRFHE4250D可與各種控制器或驅(qū)動器共同操作，以提供設(shè)計靈活性，同時以小的占位面積實現(xiàn)更高的電流、效率和頻率，還為IR電源模塊帶來全新的6×6 PQFN封裝選擇。
IRFHE4250D符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及第二級濕度敏感度 (MSL2) 標(biāo)準(zhǔn)，并采用了6×6 PQFN頂部外露封裝，備有符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 的環(huán)保物料清單。
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